La compañía surcoreana ha actualizado sus especificaciones HBM3 en desarrollo por tercera vez. En octubre pasado, SK Hynix reveló que tendrá una DRAM HBM3 de 12 Hi (capa) con una velocidad de 820 GB/s, solo para preparar una memoria aún más rápida con un ancho de banda de 896 GB/s para una ‘revelación’ en ISSCC 2022 (IEEE Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido).
Aún no se conocen los detalles, pero el título de la sesión ya confirma la velocidad y la configuración de la memoria. También será DRAM HBM3 de 12 capas con una capacidad de 196 Gb (24 GB). Esto se lograría a través de optimizaciones de autocalibración y aprendizaje automático de TSV (a través de silicio). Lo que tampoco está claro es si este tipo de memoria es literalmente un prototipo en papel o más bien algo que SK hynix pretende llevar a la producción en masa.
Las primeras especificaciones HBM3 de SK Hynix presentaban una velocidad de datos de 5,2 Gbit/s por pin (665 GB/s) solo para actualizarse en un 23 % a 6,4 Gbit/s (819 GB/s) unos meses después. La última memoria de 7 Gbit/s proporcionaría una actualización adicional del 10 % con respecto a la especificación del 21 de octubre.
Además, la compañía también planea analizar la memoria GDDR6 de 27 Gbps basada en T-coil con Merged-MUX TX, operación WCK optimizada y bus de datos alternativo. Dicha memoria sería incluso más rápida que la memoria de 24 Gbps de Samsung que ahora se está muestreando. La memoria de Hynix tendría una capacidad de 16 Gb, la misma capacidad que la GDDR6 de Samsung y la GDDR6X de Micron.
