Memoria DDR6 llegará en 2027 con velocidades de hasta 17,600 MT/s

La próxima generación de memoria RAM, DDR6, está en camino para transformar el rendimiento de los sistemas informáticos, con un lanzamiento previsto para 2027. Según informes recientes, fabricantes como Samsung, Micron y SK Hynix han avanzado en prototipos, trabajando con Intel, AMD y NVIDIA para acelerar el desarrollo.

La memoria DDR6 ofrecerá velocidades base de 8,800 MT/s, un 83% más que el estándar DDR5, y alcanzará hasta 17,600 MT/s, ideal para aplicaciones de inteligencia artificial y computación de alto rendimiento.

A diferencia de DDR5, que usa una arquitectura de dos canales de 32 bits, DDR6 adoptará un diseño de cuatro canales de 24 bits. Este cambio mejora la integridad de la señal y reduce problemas como la interferencia, crucial para sus altas velocidades. La industria también apuesta por el formato CAMM2, que reemplazará a los tradicionales DIMM. Este diseño, más compacto y eficiente, optimiza el espacio en placas base y soporta mayores densidades, según pruebas de ASUS y G.Skill con DDR5 a 10,000 MT/s.

La adopción inicial de DDR6 se centrará en servidores y centros de datos, con validaciones de plataforma programadas para 2026. Los portátiles de gama alta, con CPUs de próxima generación de Intel y AMD, también podrían incorporar DDR6 o LPDDR6, que alcanzará 14,400 MT/s. Sin embargo, los consumidores de escritorio deberán esperar más, ya que la producción masiva y la reducción de costos tomarán tiempo, similar a la transición de DDR5 iniciada en 2021.

El alto precio inicial de DDR6 limitará su uso a entornos especializados como laboratorios de investigación de IA. A medida que la fabricación escale, se espera que los costos bajen, permitiendo su llegada a computadoras personales. Este avance promete revolucionar el rendimiento en tareas intensivas, consolidando a CAMM2 como el nuevo estándar.

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